NAND闪存芯片进入革新时代 传英特尔将与意大利达成50亿美元投资协议
2022-08-08 08:25:07|
来源：前瞻网 作者：
NAND闪存芯片进入革新时代
近日，美光和SK海力士相继官宣，其NAND闪存芯片对堆叠层数突破200层限制。其中，美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%，预计2022年底开始量产232层NAND;而SK海力士的闪存芯片由238层存储单元组成，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%，预计2023年上半年开始量产。
传英特尔将与意大利达成50亿美元投资协议
路透社报道，两位知情人士透露，英特尔将在意大利建立一座先进半导体封装和组装厂，最初投资金额约50亿美元。报道指出，此次在意大利投资，是英特尔年初宣布的欧洲投资计划一部分。当时，英特尔宣布将在欧洲投资约880亿美元扩大产能。目前，英特尔正在努力降低对亚洲芯片进口的依赖，并舒缓供应紧缺。
